以铝箱为电极的卷绕式电容器元件，其电极可以是凹进的，称为隐箔式.也可以是突出的，称为突箔式.隐箔式采用引线片将电极引出.突箱式则因铝箔突出于元件端部，可以用锡锌焊料(底料)搪在突出的铝箱上，然后再用锡铅焊料(面料)与引线焊接.也可以采用专门的夹接装置与引线央接.突箔式结构比隐箔式具有以下的优越性:
一、具有优良的电接触性能考虑薄膜的浸演与溶胀，全膜电容器中通常压紧系数较低(<0.85)，采用引线片会产生引线片与铝箱间的接触不良.这不仅增加了接触电阻，甚至会因接触不良产生火花放电.另外，引线片的毛刺易刺伤pp膜，这均会导致介质材料的损伤，影响电容器的寿命.突箱式电极则不存在上述弊端.
二、降低电容器的损耗电容器的损耗主要有三部分组成，即介质损耗、导体损耗及放电电阻损耗.隐箱式电容器中，电流将通过引线片电阻，长的铝悄电极的电阻以及引线片与铝箔的接触电阻，从而造成较大的导体损耗.突箱式的导电路径大大缩短，且不存在引线片与铝箱的接触电阻，因而导体损耗可大大降低.表1列出不同介质不同电极结构及引线方式电容器的损耗功率.从表1可以看出，突箱式结构电容器的损耗低于用引线片的隐箱式，而突悄式中焊接方式又优于机械夹接式.这对电热电容器、大容t电容器均有特殊的意义.
 


 
 
 
三、提高电容器的局部放电性能和附过电压能力铝箔突出改善了电极端部的电场分布，消除了引线片接触不良的影晌，同时改善了引线片处因局部压紧系数高造成的授演不良，因而提高了电容器的局部放电性能和耐受过电压的能力.突箱式电容器的局部放电电压比普通隐箱式约高30呱阁，在2 x15林m电容器暂态双电压TOV试脸中.引线片式电容器只通过了翻定场强为47 Mv加的TOV试验，而突信式电容器则不仅通过了额定场强为矽M V加的TOV试验，还通过了倾定场强为5 MV加的TOV试脸.从而说明突佰式结构可以选择较高的工作场强，或其有较长的寿命.
四、减小了电容器元件的电感由于导电路径缩短，它不仅减小了导体电阻，同时也减小了元件的电感.这对脉冲电容器将其有更重要的意义.
五、便于元件卷制自动化由于不要中间停车擂入引线片，更易于实现卷制自动化，提高生产率.（正航仪器编辑）http://www.zhsysb.com